動態(tài)無功補(bǔ)償設(shè)備

    應(yīng)用背景

    一是變電站電容器組的投切方式大多為手動投切。如果根據(jù)“任何時刻不過補(bǔ)”的原則手動投入電容器，會導(dǎo)致大量的電容器在變電站里被閑置，使設(shè)備利用率降低。為避免上述情況，有的變電站根據(jù)負(fù)荷的需要改動電容器組內(nèi)投入電容器的數(shù)量。但這樣又改變了串聯(lián)電抗器與電容器的比例，存在諧振的危險，技術(shù)上也存在隱患。

    二是即使安裝了電壓無功調(diào)整裝置的變電站，頻繁投切也會帶來相當(dāng)嚴(yán)重的隱患。由于投切機(jī)構(gòu)為接觸器或斷路器，無法適應(yīng)不斷變化的無功負(fù)荷的需要，因此頻繁投切很容易對電網(wǎng)造成沖擊，致使電容器接觸器與斷路器損壞。信息請登陸:輸配電設(shè)備網(wǎng)

    為確保任何時刻變電站的無功控制都處于*佳狀態(tài)，變電站需要一種具有動態(tài)、連續(xù)調(diào)節(jié)能力的無功調(diào)節(jié)手段，磁控電抗器(MCR)因此得到應(yīng)用。

    MCR技術(shù)原理

    MCR源自磁放大器以及傳統(tǒng)飽和電抗器。但是這兩種產(chǎn)品響應(yīng)速度慢、損耗大、噪音大、諧波大，長期以來沒有得到廣泛應(yīng)用。“磁閥”概念的提出，大大改善了飽和電抗器在損耗、噪音以及諧波等方面的性能，為飽和電抗器性能上的突破奠定了基礎(chǔ);而控制技術(shù)與電力電子在飽和電抗器中的**應(yīng)用，更是從根本上改變了傳統(tǒng)飽和電抗器響應(yīng)速度慢和控制難度高的缺點(diǎn)。一種高度可靠、更低損耗、更低諧波、更小占地面積、更易維護(hù)且基本免維護(hù)的高低壓動態(tài)無功補(bǔ)償裝置MCR，為廣大用戶提高功率因數(shù)、改善電能質(zhì)量、提高自動運(yùn)行水平，提供了全新的選擇。

    MCR由一個四柱鐵芯和繞組組成，中間兩個鐵芯柱為工作鐵芯。由于可控硅接于控制繞組上，其電壓很低，約為系統(tǒng)額定電壓的1%左右，從而大大提高了運(yùn)行可靠性。當(dāng)工作繞組兩端接上交流電壓時，控制繞組就會感應(yīng)出相應(yīng)的電壓。以控制繞組的匝數(shù)為工作繞組的1%計，可控硅T1和T2上的電壓僅為工作電壓的1%，通過控制T1、T2的觸發(fā)角即可控制直流激磁。觸發(fā)角越小，鐵芯飽和度越高，電抗器的感抗越小。因此，只要控制T1和T2的觸發(fā)角大小，就可以平滑地調(diào)節(jié)MCR的容量。此外，MCR具有自耦勵磁功能，省去了單獨(dú)的直流控制源。MCR的另一特點(diǎn)，是小截面鐵芯處于極限飽和狀態(tài)，而其他鐵芯則處于不飽和狀態(tài)，這就降低了有功損耗，降低了諧波含量，噪聲也變得較小。

    MCR應(yīng)用實例

    將MCR技術(shù)用于變電站的無功補(bǔ)償系統(tǒng)，將使變電站的無功裝備水平產(chǎn)生質(zhì)的飛躍，大幅提高變電站無功補(bǔ)償精度和快速調(diào)節(jié)能力。MCR技術(shù)在實現(xiàn)高功率因數(shù)的同時，使變電站的無功調(diào)節(jié)從手動、分級、有觸點(diǎn)的調(diào)節(jié)方式升級為自動、連續(xù)、無觸點(diǎn)的調(diào)節(jié)方式，避免了電容器投切動作，有效改善了電壓質(zhì)量，大幅降低了有載調(diào)壓開關(guān)的動作次數(shù)，使現(xiàn)有電容器得到了*大限度利用，延長了設(shè)備壽命，進(jìn)而提高電網(wǎng)的**運(yùn)行水平。