保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開(kāi)關(guān)特性也受柵極電阻的影響，F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的*小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過(guò)電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過(guò)壓極限。通過(guò)使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL(可控軸向壽命)二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小。
柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)，N通道MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí)，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個(gè)兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級(jí)有一路還是兩路輸出，可實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)或兩個(gè)柵極電阻(導(dǎo)通，關(guān)斷)的用于對(duì)稱(chēng)或不對(duì)稱(chēng)柵極控制的解決方案。
柵極電阻的計(jì)算
對(duì)于低開(kāi)關(guān)損耗，無(wú)FZ2400R17KF6C-B2模塊振蕩，低二極管反向恢復(fù)峰值電流和*大dv/dt限制，柵極電阻必須體現(xiàn)出*佳的開(kāi)關(guān)特性。通常在應(yīng)用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動(dòng);同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說(shuō)，IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給的電阻值必須為每個(gè)設(shè)計(jì)而優(yōu)化。IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中指定了柵極電阻值。然而，**的柵極電阻值一般介于IGBT數(shù)據(jù)表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數(shù)據(jù)表中所指定的值是*小值;在指定條件下，兩倍于額定電流可被**地關(guān)斷。在實(shí)際中，由于測(cè)試電路和各個(gè)應(yīng)用參數(shù)的差異，IGBT數(shù)據(jù)表中的柵極電阻值往往不一定是*佳值。上面提到的大概的電阻值(即兩倍的數(shù)據(jù)表值)，F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2可被作為優(yōu)化的起點(diǎn)，以相應(yīng)地減少柵級(jí)電阻值。確定*終**值的**途徑是測(cè)試和衡量*終系統(tǒng)。使應(yīng)用中的寄生電感*小很重要。這對(duì)于保持IGBT的關(guān)斷過(guò)電壓在數(shù)據(jù)表的指定范圍內(nèi)是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間以及開(kāi)關(guān)損耗。柵級(jí)峰值電流的*大值和柵級(jí)電阻的*小值分別由驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的性能決定。
公安機(jī)關(guān)備案號(hào)：
